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90纳米, 0.13/0.11微米, 0.18微米,
0.25微米, 0.35微米

90纳米

手艺简介

中(zhong)芯(xin)国际(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)300毫米晶(jing)圆厂已有多个90纳(na)(na)(na)米工(gong)艺的(de)(de)(de)(de)(de)(de)产物(wu)进入大范围的(de)(de)(de)(de)(de)(de)出(chu)(chu)产,中(zhong)芯(xin)国际(ji)(ji)具有丰(feng)硕(shuo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)制程开辟经历(li),可向环球客户供给(ji)(ji)成熟不变的(de)(de)(de)(de)(de)(de)90纳(na)(na)(na)米手艺办事。中(zhong)芯(xin)90纳(na)(na)(na)米制程接纳(na)(na)(na)Low-k材质的(de)(de)(de)(de)(de)(de)铜互(hu)连(lian)手艺,出(chu)(chu)产高机能的(de)(de)(de)(de)(de)(de)元器件。操纵(zong)进步前辈的(de)(de)(de)(de)(de)(de)12英寸(cun)出(chu)(chu)产线停止90纳(na)(na)(na)米工(gong)艺的(de)(de)(de)(de)(de)(de)出(chu)(chu)产能确保本钱的(de)(de)(de)(de)(de)(de)优化,为客户将(jiang)来手艺的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晋升供给(ji)(ji)附加的(de)(de)(de)(de)(de)(de)资本。另外,咱们的(de)(de)(de)(de)(de)(de)90纳(na)(na)(na)米手艺能够或许为客户量身定做, 到(dao)达(da)各类设(she)想请求(qiu),包含高速,低耗(hao),夹杂旌旗灯号,射频和嵌入式和体系集成等计划。

在(zai)90纳米手艺上(shang),中芯向客户(hu)供给(ji)出产优化的计划(hua),以期竭尽所能(neng)地为客户(hu)产物的机能(neng)的晋升,良率的改良和靠得(de)住(zhu)性(xing)的保障供给(ji)赞助。对90纳米相干的单位库,IP及输入/输入接(jie)口等可经由过程我(wo)司的协作火(huo)伴取(qu)得(de)。

特(te)色

工艺组件挑选

规范工艺组件挑选

90纳米低泄电(dian)器(qi)件(jian)(1.2V)

90纳米(mi)低泄电器件(1.0V)

焦点器(qi)件

高(gao)阈值(zhi)电压

规范阈值电压(ya)

低阈值电压

输(shu)入输(shu)入器件

1.8V

2.5V

2.5V 过载 3.3V

3.3V

内(nei)存(cun)

单端(duan)静态内存 (0.999μ㎡)

双端(duan)静态内(nei)存(cun) (1.994μ㎡)

 

操纵(zong)产(chan)物

中芯(xin)国际90纳米(mi)手(shou)艺能(neng)够或许知(zhi)足(zu)多种操(cao)纵产物(wu)(wu)如无线(xian)(xian)德(de)律风(feng),数(shu)字电视,机(ji)(ji)顶(ding)盒,挪(nuo)动(dong)电视,小我多媒(mei)体产物(wu)(wu),无线(xian)(xian)收(shou)集(ji)接入及(ji)小我计(ji)较机(ji)(ji)操(cao)纵芯(xin)片等对低能(neng)耗(hao),出色机(ji)(ji)能(neng)及(ji)高集(ji)成度的(de)请求。

  • 无(wu)线德(de)律(lv)风

  • 数字电视(shi)

  • 机顶盒

  • 挪动(dong)电(dian)视

  • 小我
    多媒体产物

  • 无线收集

0.13/0.11微米(mi)

手艺(yi)简介(jie)

和0.15微(wei)米器件的制程手艺比拟,咱(zan)们(men)的0.13微(wei)米工艺能使芯单(dan)方面积(ji)减少25%以上(shang),机能进(jin)步约30%。与0.18微(wei)米制程手艺比拟,芯单(dan)方面积(ji)更可(ke)减少跨(kua)越50%,而其机能也(ye)进(jin)步跨(kua)越50%。 

中芯的0.13微米制程接纳全铜制程手艺,从而在到达高机能装备的同时,完本钱钱的优化。中芯的 0.13 微米手艺工艺利用 8 层金属层宽度仅为 80 纳米的门电路,能够或许建造焦点电压为 1.2V 和输入 / 输入电压为 2.5V 3.3V的组件。咱们的高速、低电压和低泄电制程产物已在普遍出产中

中芯国际能够或许供给0.13/0.11微米的单位库,内存编译器,输入输入接口和摹拟IP

特色(se)

  • 0.13 微(wei)米(mi)/0.11微(wei)米(mi)铜(tong)工艺(yi)平(ping)台

工艺组件挑选

  • 0.13 微米

    规(gui)范工艺组件挑选

    0.13微米低泄电器(qi)件(jian) (1.5V)

    0.13微米高机能通用器件(1.2V)

    焦点器件

    高阈值电压(ya)

    规范阈值电压

    低阈值电压

     

     

    输入输入器件

    2.5V

    3.3V

     

    内存(cun)

    (减少之前)

    单(dan)端静态内存(cun) (2.43μ㎡)

    单端静态内存(2.14μ㎡)

    单端静(jing)态(tai)内存(2.03μ㎡)

     

     

  • 0.11微米

    规(gui)范工艺组件挑选

    0.11微米高机(ji)能通(tong)电器(qi)件(jian) (1.2V)

    焦点器件

    高(gao)阈值(zhi)电压

    规范阈值电压

    低(di)阈值电压

    输(shu)入输(shu)入器(qi)件(jian)

    2.5V

    3.3V

    内(nei)存

    (减少之前(qian))

    单(dan)端(duan)静(jing)态内存 (2.43μ㎡)

    单(dan)端静态内(nei)存(cun)(2.03μ㎡)

     

操纵(zong)产物(wu)

中芯(xin)国(guo)际在0.13/0.11微米手艺节(jie)(jie)点(dian)上可供给(ji)低本钱的闪存(cun)节(jie)(jie)制(zhi)器、媒体播放器和其余各类操(cao)纵产(chan)物。

  • 闪存节制器

  • 媒体播放器

0.15微米

手艺简介

中芯国际(ji)0.15微米工(gong)艺手艺包含逻辑、夹杂旌(jing)旗(qi)灯号,高(gao)压,BCD,并供给普(pu)遍(bian)的单位库和IP的撑持。

特色

操(cao)纵产物

中芯(xin)国际(ji)在 0.15 微米手艺节点上可(ke)供给低本钱的挪动/花费操纵和汽车和产业(ye)操纵产物。

  • 挪动(dong)/花费(fei)操纵

  • 汽车

  • 产(chan)业

0.18微米

手艺简介(jie)

中芯国际的(de)0.18微米(mi)为(wei)花费(fei)性、通信(xin)和计较机等多种产(chan)物操(cao)纵供给了在(zai)速率、功耗、密(mi)度及(ji)本(ben)钱(qian)方(fang)面的(de)最好挑(tiao)选。另外(wai),它(ta)也在(zai)嵌入(ru)式(shi)内存、夹杂旌旗灯号及(ji)CMOS射(she)频电路等操(cao)纵方(fang)面为(wei)客户供给矫捷性的(de)处(chu)置(zhi)计划及(ji)摹拟。

此工艺接纳 1P6M(铝)制程,特色是每平方毫米的多晶硅(gui)门电路集(ji)成度高达100,000门和有1.8V、3.3V和5V三种差别(bie)电压,供客(ke)户挑选。

咱们(men)的 0.18 微米工艺手艺包含逻辑、夹杂旌旗灯号/射(she)频、高(gao)压、BCD、带电可擦除(chu)只读存储器和(he)OTP等。这些手艺均有普遍(bian)的单位(wei)库和(he)智(zhi)能模(mo)块撑持。

特色

操纵产物

中芯(xin)国际在 0.18 微米(mi)手艺节点上可供(gong)给低本钱、经历证的智(zhi)能(neng)卡、花费电子产物和别的普(pu)遍的操(cao)纵(zong)类产物。

  • 花费电子产物

  • 智(zhi)能卡

0.25微米

手艺简介(jie)

中芯国际(ji)的0.25微米(mi)手艺能完成(cheng)芯片的高机能和(he)低功率,合(he)用于高端图(tu)形处置器(qi)、微处置器(qi)、通信及计较机数据(ju)处置芯片。咱们同时供给0.25微米(mi)逻辑电路(lu)和(he)3.3V和(he)5V操纵的夹杂旌(jing)旗灯(deng)号/CMOS射频电路(lu)。

特色

操(cao)纵产物

中芯国际供给本钱(qian)优化及经由(you)过(guo)程考证的0.35微米(mi)工艺处置计划,可操纵于智能(neng)卡(ka)、花费(fei)性产物和别(bie)的多(duo)个范畴。

  • 射频

  • 无线装备

0.35微米

手艺(yi)简(jian)介

咱们的0.35微米制程手(shou)艺包含逻(luo)辑电路,夹杂旌(jing)旗灯号(hao)/CMOS射(she)频电路、高压电路、BCD、 EEPROM和OTP芯片。这些手(shou)艺均有普遍的单位(wei)库(ku)和智(zhi)能模(mo)块撑持(chi)。

操纵产物

中芯国际供(gong)给本钱优化及经(jing)由过程(cheng)考证的(de)0.35微米工艺(yi)处置(zhi)计划(hua),可操纵于智能卡、花费性产物和别的(de)多个范(fan)畴(chou)。

  • 智(zhi)能(neng)卡

  • 花(hua)费电子产物

中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米