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65纳米/55纳米

65纳米/55纳米

手艺简介

中芯国(guo)际65纳米(mi)(mi)/55纳米(mi)(mi)逻辑(ji)手(shou)(shou)(shou)艺具备高机能(neng),节能(neng)的(de)(de)(de)(de)上风(feng),能(neng)够增添进步前辈手(shou)(shou)(shou)艺本钱(qian)的(de)(de)(de)(de)优(you)化(hua)及设(she)想(xiang)胜利的(de)(de)(de)(de)能(neng)够性。此65纳米(mi)(mi)/55纳米(mi)(mi)手(shou)(shou)(shou)艺的(de)(de)(de)(de)工艺元(yuan)件挑(tiao)选包罗低(di)(di)泄电(dian)和(he)超(chao)(chao)低(di)(di)功(gong)(gong)耗手(shou)(shou)(shou)艺平台。此两种(zhong)(zhong)手(shou)(shou)(shou)艺平台都供给(ji)三种(zhong)(zhong)阈(yu)值电(dian)压(ya)的(de)(de)(de)(de)元(yuan)件和(he)输入(ru)/输入(ru)电(dian)压(ya)为1.8V,2.5V和(he)3.3V的(de)(de)(de)(de)元(yuan)件,而构(gou)成(cheng)一个弹性的(de)(de)(de)(de)制程设(she)想(xiang)平台。此手(shou)(shou)(shou)艺的(de)(de)(de)(de)设(she)想(xiang)法则、规格(ge)及SPICE模(mo)子已(yi)完整。55纳米(mi)(mi)低(di)(di)泄电(dian)/超(chao)(chao)低(di)(di)功(gong)(gong)耗手(shou)(shou)(shou)艺和(he)65纳米(mi)(mi)低(di)(di)泄电(dian)手(shou)(shou)(shou)艺首要的(de)(de)(de)(de)单(dan)位库已(yi)完整。

特色

 

55/65纳(na)米工艺组件挑(tiao)选:

规范工艺组件挑选(xuan)

55 纳(na)米低(di)泄电(dian)器(qi)件

65 纳米低泄电器件

焦点(dian)器件

(1.2V)

ULL

HVt

SVt

LVt

 

 

输(shu)入(ru)输(shu)入(ru)器(qi)件

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超载(zai) 3.3V

2.5V 低载 1.8V

 

内存

单端高密(mi)度(du)静(jing)态内(nei)存

单端高机能静(jing)态内存

双端(duan)高(gao)密度静态内存

双端高机能静态内存

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

利用产物

中芯国际55纳(na)米逻辑产物首要面向高机能(neng)、低功耗的利(li)用(yong)场景(jing),如挪动利(li)用(yong)和(he)无线利(li)用(yong)。

  • 挪动(dong)利用(yong)

  • 无线利用(yong)

其余工艺(yi)手艺(yi)

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